OE750 - Máy quang phổ (OES) phân tích hợp kim - Hitachi Hightech


Liên hệ : 0965 130 856


Đặc Tính Kỹ Thuật
Sử dụng nhiều công nghệ vượt trội: cảm biến CMOS, công nghệ Jet-stream, auto profiling
Máy quang phổ phân tích hợp kim sử dụng phương pháp quang phổ phát xạ rất phổ biến trong phân tích hợp kim nhờ khả năng phân tích được nguyên tố carbon.
Bộ nguồn tạo tia lửa điện thế hệ mới của thiết bị đảm bảo khả năng kích thích tối ưu cho nhiều loại hợp kim khác nhau.
Hệ quang học Multi-CMOS độ phân giải cao cho phép phân tích chính xác cho toàn bộ dải phổ cho tất cả các hợp kim với các nền khác nhau
Bộ gá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, cho phép việc phân tích an toàn, hiệu quả cho các mẫu với hình dạng khác nhau, kể cả có hình dạng bất thường.
Khả năng phân tích lên đến 35 nguyên tố (tùy loại hợp kim)
Có khả năng phân tích C, S với giới hạn thấp tới 2 ppm
Có khả năng phân tích nguyên tố khí O, H, N.
Cấp kèm 1 cơ sở dữ liệu Mác vật liệu (GRADE database) với hơn 350,000 Mác hợp kim theo hơn 15 triệu tên gọi khác nhau từ 70 nước và nhiều tiêu chuẩn (DIN/EN, ASTM, AISI, JIS, Gost… )
Chia sẻ dữ liệu tức thì ONLINE qua Cloud Server với chức năng ExTope Connect
Thông Số Kỹ Thuật
Tổng quan
Kích thước 425 mm x 760 mm x 535mm (WxDxH)
Nguồn điện 100 - 240 V AC (50/60 Hz)
Khối lượng 88kg
Công suất tiêu thụ Tối đa 430W
Công suất tiêu thụ chế độ chờ 45W (50W Source on)
Khí Argon
Độ tinh khiết Min 4.8
Áp suất đâu vào 3 Bar
Hệ thống quang học
Hệ quang học Theo nguyên lý Paschen-Runge Mounting

Đường truyền ánh sáng trực tiếp đến buồng quang học.
Dải bước sóng phân tích 119 – 670 nm (có thể mở rộng lên 766 nm)
Cảm biến Cảm biến Multi-CMOS (4096 pixel per chip) với độ phân giải Pixel được tối ưu hóa.
Độ tương phản
Tiêu cự 400 mm
Mật độ rãnh
Hệ thống chân không Bơm có công suất 700w, có độ ồn thấp, ít phát sinh nhiệt và không cần bảo dưỡng bơm.
Kết nối qua Shut-off- valve, dễ dàng bảo dưỡng và thay thế cửa sổ quang học
Bộ phát plasma Kỹ thuật phát tia lửa điện năng lượng cao (HEPS) giúp đốt mẫu tốt hơn
Cài đặt các thông số bằng phần mềm
Tần số: 80 – 1000 Hz
Điện áp: 250 - 500 V
Bộ gá kẹp mẫu Bộ gá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, có thể đặt có những mẫu có kích thước
Kết cấu Jet-Stream-electrode cho thực hiện trên các mẫu nhỏ và mẫu có hình dạng phức tạp. Tối ưu hóa mức tiêu thụ Argon là thấp nhất.
Bàn kẹp mẫu được điều chỉnh đa năng
Tấm nắp có thể thay đổi cho từng loại mẫu khác nhau.
Giới hạn phân tích của 1 số nguyên tố C: 2 ppm; B: 1ppm; Si: 5 ppm; P: 2 ppm; S: 2 ppm; Mg: 1 ppm; N: 5 ppm; O: 10ppm;